采购6英寸N型碳化硅晶体测试设备，可选择苏州恒迈瑞公司，专业供应4英寸至6英寸碳化硅晶棒，碳化硅切割片及碳化硅衬底晶片，单根碳化硅晶棒厚度约为20mm。D级测试级碳化硅晶体可用于激光冷切割设备，多线切割设备等测试用。

　　采购6英寸N型碳化硅晶体测试设备，可选择苏州恒迈瑞公司，专业供应4英寸至6英寸碳化硅晶棒，碳化硅切割片及碳化硅衬底晶片，单根碳化硅晶棒厚度约为20mm。D级测试级碳化硅晶体可用于激光冷切割设备，多线切割设备等测试用。

　　作为第三代半导体材料，碳化硅相较于硅材料，具有带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造高温、高压、高频、大功率的器件。

　　目前碳化硅主流的切割方式分为砂浆线切割、金刚线切割、激光切割（水导激光、激光剥离、激光冷切割）。

　　对于国内厂商而言，砂浆线切割技术已应用于绝大部分碳化硅衬底厂商，金刚线切割技术也成为了主流迭代方案。尽管金刚线相较于砂浆线切割优势明显，但仍存在一些问题：

　　1、加工效率较低。碳化硅晶锭的长度较短，使用多线切割技术需要先将多个晶锭进行拼接，降低了加工效率。

　　2、材料损耗率高。加工过程中，切割线会将部分碳化硅材料削磨成碎屑从而产生锯口损失，并且高速运动会在材料表面形成粗糙切痕，导致材料损耗率高达50%。

　　3、设备及耗材寿命短。在切割时，金刚线磨损严重，切割线的使用寿命以及晶片的翘曲度都受到影响。

　　主营产品：硅基氮化镓外延片，碳化硅基GaN外延片，碳化硅晶棒，碳化硅SiC切割片，碳化硅衬底晶片，碳化硅同质外延片，氮化镓衬底片

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